آرشیو برچسب ها : تونل‌زنی intraband

در این مقاله یک مدل I-V کانال کوتاه تمام منطقه برای MOSFET های DG 2-D توسط ادغام یک مدل جریان زیرآستانه‌ی کانال کوتاه با یک مدل اشباع سرعت توسعه داده شده است. دانلود رایگان مقاله اصلی چکیده این مقاله یک مدل تحلیلی I-V برای MOSFET های کانال کوتاه ساخته شده از مواد نیمه رسانای ۲-D […]