این ترجمه مقاله را با دوستان خود به اشتراک بگذارید.

یک LPF مرتبه دوم مبتنی بر OTA با ساختار PD CASFVF در یک فرآیند ۰٫۳۵ µm, CMOS تحت ولتاژ منبع تغذیه‌ی ۱٫۳-V پیاده‌سازی شده است. OTA پیشنهادی یک روش کارآمد جهت به دست آوردن یک مقدار رسانایی متقابل بالا ۴۲۰ µS در مقایسه با ترانسکُنداکتور دیگر را ارائه می‌دهد.

عنوان اصلی مقاله: A low-power Gm-C low pass filter for mobile applications

این مطالعه یک ترانسکُنداکتور نیمه هادی اُکسیدفلز تکمیلی (CMOS) با عملکرد بالا که در یک فیلتر انتخاب کانال مولتی‌مُد برای کاربردهای موبایل استفاده می‌گردد را ارائه می‌دهد. این طراحی از یک مبدل ولتاژ به جریان (V-I) و یک ضرب کننده‌ی جریان دو ربع  بهره می‌برد. دنبالگر ولتاژ فلیپ شده‌ی کاسکودی (CASFVF) به عنوان یک مرحله‌ی ورود در کلاس AB شبه زوج تفاضلی به منظور انجام تبدیل V-I استفاده شده است. ضرب کننده‌های جریان به منظور خطی کردن خروجی از مبدل V-I و ارائه‌ی توانایی تنظیم اضافه برای ترانسکُنداکتور استفاده شده‌اند. فیلتر پایین گذر (LPF) باتروُرث  مرتبه دو با ترانسکُنداکتور پیشنهادی طراحی شده و با استفاده از فناوری TSMC 0.35-µm CMOS در H-spice در ابزار synopsis شبیه‌سازی شده است. LPF توان بسیار کمی را مصرف می‌کند (۰٫۲ mW) و یک محدوده‌ی تنظیم وسیع (۲۰۰ KHz – ۳٫۱ MHz) را ارائه می‌نماید.

مقدمه
در بسیاری از کاربردهای بی‌سیم، یک فیلتر مولتی‌مُد (MF) در یک گیرنده‌ی تبدیل مستقیم استفاده می‌شود. انواع مختلف استانداردهای بی‌سیم [سیستم جهانی برای ارتباطات موبایلی (GSM)، سیستم ارتباطات راه دور موبایل جهانی (UMTS) و دسترسی چندگانه‌ی تقسیم کُد باند وسیع (WCDMA)] در فرستنده گیرنده‌ی چند حالته (مولتی‌مُد) مورد استفاده قرار گرفته‌اند. یک فیلتر پایین گذر (LPF) که دارای یک محدوده‌ی تنظیم وسیع باشد مولفه‌ی کلیدی برای MF می‌باشد زیرا می‌تواند به همه‌ی مشخصات سیستم منطبق شده و عنصر ضروری در یک گیرنده‌ی تبدیل مستقیم (DCR) را شکل دهد. پهنای باند، بهره و خطی بودن MF می‌تواند به منظور دریافت همه‌ی این استانداردها با استفاده از همان پایانه‌ موبایل مجدداً پیکربندی گردد. برای تأمین مشخصات گیرنده، فیلترها با استفاده از یک تقویت کننده‌ی رسانایی متقابل عملیاتی (OTA) به عنوان یک بلوک ساختمانی پایه طراحی می‌شوند. فیلترهای مبتنی بر Gm-C به دلیل توانایی‌شان در عملیات بر روی یک محدوده‌ی تنظیم وسیع با حفظ خطی بودن بالا در MT مورد استفاده قرار می‌گیرند. توپولوژی‌های مختلفی به منظور تحقق OTA ها گزارش شده‌اند. ساختارهای کاسکود  برای کاربردهای سرعت بالا مفید هستند اما در نوسان خروجی محدود می‌باشند، از این رو مقدار رسانایی متقابل را کاهش می‌دهند. همچنین، این ساختارها کاملاً پیچیده بوده و مصرف برق را افزایش می‌دهند. از آنجاییکه این یک مسئله‌ی جدی برای کاربردهای ولتاژ پایین می‌باشد، مراحل شبه تفاضلی (PD) کلاس AB ارجح می‌باشند. همچنین، در ساختارهای مرسوم کلاس AB، اتلاف توان به دلیل ظرفیت خازنی پارازیتی بزرگ بسیار بالا می‌باشد. بنابراین، دنبالگر ولتاژ فلیپ شده‌ی کاسکودی (CASFVF) به عنوان یک مرحله‌ی ورود در زوج PD به دلیل عملکرد بهتر آن از نظر نوسان سیگنال، نرخ تغییرات سریع ، پهنای باند، اتلاف توان و پایین‌ترین اَمپدانس خروجی استفاده می‌شود. این مطالعه یک ترانسکُنداکتور با عملکرد بالا پیشنهاد می‌نماید که از یک زوج PD کلاس AB با CASFVF به عنوان یک مرحله‌ی ورودی همراه با یک ضرب کننده‌ی جریان دو ربع استفاده می‌کند.

این ترجمه مقاله را با دوستان خود به اشتراک بگذارید.

درباره احسان رضایی

سفارش ترجمه آنلاین خدمات ترجمه مقاله isi به صورت فوری کاهش هزینه و زمان در سفارش ترجمه آنلاین

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *