دانلود مقاله ترجمه شده isi

این ترجمه مقاله را با دوستان خود به اشتراک بگذارید.

در این مقاله یک مدل I-V کانال کوتاه تمام منطقه برای MOSFET های DG 2-D توسط ادغام یک مدل جریان زیرآستانه‌ی کانال کوتاه با یک مدل اشباع سرعت توسعه داده شده است.

چکیده
این مقاله یک مدل تحلیلی I-V برای MOSFET های کانال کوتاه ساخته شده از مواد نیمه رسانای ۲-D را ارائه می‌دهد. ابتدا، یک مدل جریان زیرآستانه بر اساس این راه‌حل‌ها به معادله‌ی پواسون ۲-D با شارژ همراه ناچیز فرموله می‌شود. سپس، یک مدل اشباع سرعت تحت چارچوب یک مدل کانال بلند رانش و پخش توسعه داده شده است. آنگاه این دو مدل در یک مدل I-V کانال کوتاه تمام منطقه هم با اثر کاهش مانع ناشی از تخلیه و هم با اثر اشباع سرعت یکی شده‌اند. جریان‌های بالستیک، شامل تونل‌زنی intraband و حمل و نقل بالای مانع، بررسی و با جریان‌های گرمایونی مقایسه شده‌اند.

I.    مقدمه
مواد نیمه هادی ۲-D یک کاندیدای امیدبخش برای برای ساخت MOSFET  های با مقیاس نانومتر هستند به خاصیت به دلیل ورق آنهاست که با ضخامت لایه‌ی اتمی تشکیل شده است [۱]-[۸]. یک مدل I-V رانش و پخش کانال بلند به تازگی برای MOSFET های ۲-D توسعه داده شده است [۹]. در حالیکه این یک مدل تمام منطقه مانند مدل ورق شارژ برای MOSFET های حجمی است، لذا فاقد اثرات کانال کوتاه ۲-D است. به علاوه، هیچ اختلاط دقیقی از اثرات اشباع سرعت وجود ندارد. در یک تلاش دیگر [۱۰]، یک فرض غیرمنحط انجام شد تا ساده‌سازی بولترمن را در مدل فشرده با اثرات غیرایده‌آل دیگر مجاز نماید. اثر کانال کوتاه ۲-D در نظر گرفته شده است، اما فقط تا اندازه‌ی تخریب نوسان زیرآستانه در حد مقیاس‌گذاری. در یک مدل فشرده‌ی دیگر [۱۱]، مدولاسیون طول کانال و چند اثر غیرایده‌آل دیگر به مدل اصلی کانال بلند رانش و پخش اضافه شدند، که به میزان زیادی بر مبنای عملی این کار صورت گرفت.

در این مقاله، ما ابتدا یک مدل جریان زیرآستانه‌ی کانال کوتاه را برای MOSFET های ۲-D بر اساس رویکرد طول مقیاس توسعه داده‌ایم. اثرات اُفت آرام Vt و کم شدن مانع ناشی از تخلیه (DIBL) به عنوان تابعی از ضخامت دی‌الکتریک و طول کانال محاسبه شده‌اند. سپس، ما اشباع سرعت را به مدل ورق شارژ تمام منطقه اضافه می‌کنیم تا وقتی که طول کانال کمتر از ۱۰۰ نانومتر است جریان‌های ON واقعی‌تری را به دست آوریم. به وسیله‌ی ترکیب، آنها یک مدل I-V کانال کوتاه تمام منطقه با رسانایی خروجی متناهی در منطقه‌ی اشباعی با ویژگی‌های Ids-Vds را تشکیل دادند. جریان‌های بالستیک، ناشی از تونل‌زنی intraband در زیرآستانه‌ی عمیق و ناشی از حمل و نقل بالای مانع، نیز محاسبه شده‌اند و با جریان‌های گرمایونی مقایسه گردیده‌اند.

A Short-Channel I –V Model for 2-D MOSFETs

Abstract—This paper presents an analytic I–V model for short-channel MOSFETs made of 2-D semiconductor material. First, a subthreshold current model is formulated based on the solutions to 2-D Poisson’s equation with negligible mobile charge. Next, a velocity saturation model is developed under the framework of a drift and diffusion long-channel model. These two models are then unified into an all region, short-channel I–V model with both drain induced barrier lowering and velocity saturation effects. Ballistic currents, including the intraband tunneling and the above-the-barrier transport, have been examined and compared with the thermionic currents.

این ترجمه مقاله را با دوستان خود به اشتراک بگذارید.

درباره احسان رضایی

سفارش ترجمه آنلاین خدمات ترجمه مقاله isi به صورت فوری کاهش هزینه و زمان در سفارش ترجمه آنلاین

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *